Di Sarno, Valentina (2016) Comb-assisted high-sensitivity spectroscopy of molecular buffer gas cooled beams. [Tesi di dottorato]
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| Tipologia del documento: | Tesi di dottorato |
|---|---|
| Lingua: | English |
| Titolo: | Comb-assisted high-sensitivity spectroscopy of molecular buffer gas cooled beams |
| Autori: | Autore Email Di Sarno, Valentina valentinadisarno@alice.it |
| Data: | 27 Aprile 2016 |
| Numero di pagine: | 93 |
| Istituzione: | Università degli Studi di Napoli Federico II |
| Dipartimento: | Ingegneria Chimica, dei Materiali e della Produzione Industriale |
| Scuola di dottorato: | Ingegneria industriale |
| Dottorato: | Ingegneria dei materiali e delle strutture |
| Ciclo di dottorato: | 28 |
| Coordinatore del Corso di dottorato: | nome email Mensitieri, Giuseppe mensitie@unina.it |
| Tutor: | nome email Mensitieri, Giuseppe [non definito] Maddaloni, Pasquale [non definito] |
| Data: | 27 Aprile 2016 |
| Numero di pagine: | 93 |
| Parole chiave: | buffer gas cooling, cavity ring down spectroscopy, cold molecules |
| Settori scientifico-disciplinari del MIUR: | Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-IND/22 - Scienza e tecnologia dei materiali |
| Informazioni aggiuntive: | cel. 3886537448 |
| Depositato il: | 12 Apr 2016 23:55 |
| Ultima modifica: | 31 Ott 2016 11:00 |
| URI: | http://www.fedoa.unina.it/id/eprint/10926 |
Abstract
In this thesis, continuous-wave cavity ring-down spectroscopy of a partially hydrodynamic molecular beam emerging from a buffer-gas-cooling source is demonstrated. Specifically, the (v1+v3) vibrational overtone band of acetylene (C2H2) around 1.5 um is accessed using a narrow linewidth diode laser stabilized against a GPS-disciplined rubidium clock via an optical frequency comb synthesizer. As an example, the absolute frequency of the R(1) component is measured with a fractional accuracy of 4x10^(-9). Our approach represents the very first step towards the extension of more sophisticated spectroscopic interrogation schemes, including Ramsey's method of separated fields, to buffer-gas-cooled molecular beams. It could also provide a powerful tool for spectroscopic characterization of molecular beams used in the epitaxial growth of thin films. Molecular Beam Epitaxy (MBE) is one of the most important growth facilities to grow epitaxial semiconductor materials for semiconductor optoelectronic devices, such as lasers, emitting diodes, detectors, and modulators.
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