| Tipologia del documento: |
Tesi di dottorato
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| Lingua: |
Italiano |
| Titolo: |
Analisi di materiali semiconduttori in silicio-germanio e caratterizzazione di transistori bipolari in tale tecnologia |
| Autori: |
| Autore | Email |
|---|
| Portico Ambrosio, Michele | [non definito] |
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| Data: |
2007 |
| Tipo di data: |
Pubblicazione |
| Numero di pagine: |
206 |
| Istituzione: |
Università degli Studi di Napoli Federico II |
| Dipartimento: |
Ingegneria chimica, dei materiali e della produzione |
| Dottorato: |
Ingegneria chimica, dei materiali e della produzione |
| Ciclo di dottorato: |
18 |
| Coordinatore del Corso di dottorato: |
| nome | email |
|---|
| Grizzuti, Nino | [non definito] |
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| Tutor: |
| nome | email |
|---|
| Mensitieri, Giuseppe | [non definito] |
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| Data: |
2007 |
| Numero di pagine: |
206 |
| Parole chiave: |
Silicio-germanio |
| Settori scientifico-disciplinari del MIUR: |
Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-IND/22 - Scienza e tecnologia dei materiali |
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| Depositato il: |
12 Mag 2008 |
| Ultima modifica: |
30 Apr 2014 19:26 |
| URI: |
http://www.fedoa.unina.it/id/eprint/1492 |
| DOI: |
10.6092/UNINA/FEDOA/1492 |
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