Analisi di materiali semiconduttori in silicio-germanio e caratterizzazione di transistori bipolari in tale tecnologia

Portico Ambrosio, Michele (2007) Analisi di materiali semiconduttori in silicio-germanio e caratterizzazione di transistori bipolari in tale tecnologia. [Tesi di dottorato] (Inedito)

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Tipologia di documento:Tesi di dottorato
Parole chiave:Silicio-germanio
Settori scientifico-disciplinari MIUR:Area 09 Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-IND/22 SCIENZA E TECNOLOGIA DEI MATERIALI
Coordinatori della Scuola di dottorato:
Coordinatore del Corso di dottoratoe-mail (se nota)
Grizzuti, Nino
Tutor della Scuola di dottorato:
Tutor del Corso di dottoratoe-mail (se nota)
Mensitieri, Giuseppe
Stato del full text:Accessibile
Data:2007
Numero di pagine:206
Istituzione:Università degli Studi di Napoli Federico II
Dipartimento o Struttura:Ingegneria Chimica, dei Materiali e della Produzione
Tipo di tesi:Dottorato
Stato dell'Eprint:Inedito
Denominazione del dottorato:Ingegneria Chimica, dei Materiali e della Produzione
Ciclo di dottorato:XVIII
Numero di sistema:1492
Depositato il:12 Maggio 2008
Ultima modifica:04 Febbraio 2009 09:43

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