Portico Ambrosio, Michele (2007) Analisi di materiali semiconduttori in silicio-germanio e caratterizzazione di transistori bipolari in tale tecnologia. [Tesi di dottorato] (Inedito)

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Tipologia del documento: Tesi di dottorato
Lingua: Italiano
Titolo: Analisi di materiali semiconduttori in silicio-germanio e caratterizzazione di transistori bipolari in tale tecnologia
Autori:
AutoreEmail
Portico Ambrosio, Michele[non definito]
Data: 2007
Tipo di data: Pubblicazione
Numero di pagine: 206
Istituzione: Università degli Studi di Napoli Federico II
Dipartimento: Ingegneria chimica, dei materiali e della produzione
Dottorato: Ingegneria chimica, dei materiali e della produzione
Ciclo di dottorato: 18
Coordinatore del Corso di dottorato:
nomeemail
Grizzuti, Nino[non definito]
Tutor:
nomeemail
Mensitieri, Giuseppe[non definito]
Data: 2007
Numero di pagine: 206
Parole chiave: Silicio-germanio
Settori scientifico-disciplinari del MIUR: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-IND/22 - Scienza e tecnologia dei materiali
Depositato il: 12 Mag 2008
Ultima modifica: 30 Apr 2014 19:26
URI: http://www.fedoa.unina.it/id/eprint/1492
DOI: 10.6092/UNINA/FEDOA/1492

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