Metallic nanowire based electronic devices fabricated by Focused Ion Beam and Dielectrophoresis

Alfano, Brigida (2009) Metallic nanowire based electronic devices fabricated by Focused Ion Beam and Dielectrophoresis. [Tesi di dottorato] (Inedito)

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Abstract

In this thesis work, devices based on Palladium nanowire array and single Palladium nanowire have been realized and characterized as hydrogen sensors at room temperature. For fabricating nanowire based devices, a grow in place approach has been used. Photolithography and focused ion beam (FIB) have been exploited for depositing electrodes where, by means of an alternate electric field (dielectrophoresis, DEP), it has been possible to drive metallic nanoparticles towards high field gradient. The influence of DEP work conditions, such as field frequency, and electrode patterns onto nanowire morphology and consequently on device response have been evaluate.

Tipologia di documento:Tesi di dottorato
Parole chiave:Nanowire, Focused Ion Beam, Dielectrophoresis
Settori scientifico-disciplinari MIUR:Area 09 Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-IND/22 SCIENZA E TECNOLOGIA DEI MATERIALI
Area 09 Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/07 MISURE ELETTRICHE E ELETTRONICHE
Coordinatori della Scuola di dottorato:
Coordinatore del Corso di dottoratoe-mail (se nota)
Acierno, Domenicoacierno@unina.it
Tutor della Scuola di dottorato:
Tutor del Corso di dottoratoe-mail (se nota)
Acierno, Domenicoacierno@unina.it
La Ferrara, Veravera.laferrara@enea.it
Di Francia, Girolamogirolamo.difrancia@enea.it
Stato del full text:Inedito
Data:30 Novembre 2009
Numero di pagine:119
Istituzione:Università degli Studi di Napoli Federico II
Dipartimento o Struttura:Ingegneria dei Materiali e della Produzione
Tipo di tesi:Dottorato
Stato dell'Eprint:Inedito
Scuola di dottorato:Ingegneria industriale
Denominazione del dottorato:Ingegneria dei Materiali e della Strutture
Ciclo di dottorato:XXII
Numero di sistema:3902
Depositato il:24 Maggio 2010 11:28
Ultima modifica:24 Maggio 2010 11:28

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