Esposito, Emilia Maria (2010) Realization and characterization of silicon nitride thin films embedding Si nanoparticles. [Tesi di dottorato] (Inedito)
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| Tipologia del documento: | Tesi di dottorato |
|---|---|
| Lingua: | English |
| Titolo: | Realization and characterization of silicon nitride thin films embedding Si nanoparticles |
| Autori: | Autore Email Esposito, Emilia Maria em.esposito@gmail.com |
| Data: | 30 Novembre 2010 |
| Numero di pagine: | 128 |
| Istituzione: | Università degli Studi di Napoli Federico II |
| Dipartimento: | Scienze fisiche |
| Scuola di dottorato: | Ingegneria industriale |
| Dottorato: | Tecnologie innovative per materiali, sensori ed imaging |
| Ciclo di dottorato: | 23 |
| Coordinatore del Corso di dottorato: | nome email Andreone, Antonello andreone@unina.it |
| Tutor: | nome email Mercaldo, Lucia Vittoria lucia.mercaldo@enea.it |
| Data: | 30 Novembre 2010 |
| Numero di pagine: | 128 |
| Parole chiave: | Si nanoparticles, silicon nitride, quantum confinement, Raman spectroscopy, photoluminescence, PECVD |
| Settori scientifico-disciplinari del MIUR: | Area 02 - Scienze fisiche > FIS/03 - Fisica della materia Area 02 - Scienze fisiche > FIS/01 - Fisica sperimentale Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-IND/22 - Scienza e tecnologia dei materiali |
| Informazioni aggiuntive: | Istituzione: C. R. ENEA - Portici |
| Depositato il: | 09 Dic 2010 13:24 |
| Ultima modifica: | 30 Apr 2014 19:45 |
| URI: | http://www.fedoa.unina.it/id/eprint/8288 |
| DOI: | 10.6092/UNINA/FEDOA/8288 |
Abstract
This thesis concerns the realization and characterization of silicon nitride thin films embedding Si nanoparticles. The objectives are: 1) to investigate convenient fabrication procedures in application perspective, 2) to improve upon the characterization techniques regarding this material class, and 3) to possibly provide a proof of concept study of quantum confinement to support the implementation of new-generation optoelectronic devices (among which, in particular, the all-silicon tandem solar cells). Different fabrication approaches have been followed: a simpler in-situ route by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition and a procedure involving a post-deposition annealing step. The samples have been characterized through photoluminescence (at different excitation energies and temperatures), extensive Raman spectroscopy, FTIR, optical absorption, and EFTEM. The research activity has been carried out at ENEA - Portici Research Center in the “Photovoltaic Technologies Section” (now “Portici Technical Unit”).
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