Castiglione, Tina (2016) Hydrodynamic modeling of electron transport in silicon quantum wires. [Tesi di dottorato]
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| Tipologia del documento: | Tesi di dottorato |
|---|---|
| Lingua: | English |
| Titolo: | Hydrodynamic modeling of electron transport in silicon quantum wires |
| Autori: | Autore Email Castiglione, Tina tina.castiglione@hotmail.it |
| Data: | 29 Settembre 2016 |
| Numero di pagine: | 112 |
| Istituzione: | Università degli Studi di Napoli Federico II |
| Dipartimento: | Matematica e Applicazioni "Renato Caccioppoli" |
| Scuola di dottorato: | Scienze Matematiche ed Informatiche |
| Dottorato: | Scienze Computazionali e Informatiche |
| Ciclo di dottorato: | 28 |
| Coordinatore del Corso di dottorato: | nome email Gioconda, Moscariello gioconda.moscariello@unina.it |
| Tutor: | nome email Muscato, Orazio [non definito] |
| Data: | 29 Settembre 2016 |
| Numero di pagine: | 112 |
| Parole chiave: | silicon quantum wire, hydrodynamic model, maximum entropy principle |
| Settori scientifico-disciplinari del MIUR: | Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > INF/01 - Informatica Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/01 - Logica matematica Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/02 - Algebra Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/03 - Geometria Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/04 - Matematiche complementari Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/05 - Analisi matematica Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/06 - Probabilità e statistica matematica Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/08 - Analisi numerica Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/09 - Ricerca operativa |
| Depositato il: | 09 Mar 2017 13:26 |
| Ultima modifica: | 09 Mar 2017 13:26 |
| URI: | http://www.fedoa.unina.it/id/eprint/11179 |
| DOI: | 10.6092/UNINA/FEDOA/11179 |
Abstract
In questa tesi un modello idrodinamico per il trasporto di elettroni nei fili quantici al silicio (SiNW) è presentato. Tale modello è stato formulato considerando i momenti derivanti dall'equazione cinetica di Boltzmann e chiudendo il sistema dei momenti ottenuto per mezzo del Principio di Massima Entropia della Termodinamica Estesa. Questo modello di trasporto include necessariamente l'equazione di Schroedinger bidimensionale accoppiata all'equazione di Poisson 3D. Al fine di testare il modello, simulazioni numeriche per SiNW transistors sono eseguite. Importanti proprietà in tali dispositivi, come la mobilità elettronica, sono studiate e i risultati ottenuti sono confrontati con quelli conseguiti usando approcci diversi nella simulazione di dispositivi elettronici basati sui nanowires.
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