Castiglione, Tina (2016) Hydrodynamic modeling of electron transport in silicon quantum wires. [Tesi di dottorato]

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Tipologia del documento: Tesi di dottorato
Lingua: English
Titolo: Hydrodynamic modeling of electron transport in silicon quantum wires
Autori:
AutoreEmail
Castiglione, Tinatina.castiglione@hotmail.it
Data: 29 Settembre 2016
Numero di pagine: 112
Istituzione: Università degli Studi di Napoli Federico II
Dipartimento: Matematica e Applicazioni "Renato Caccioppoli"
Scuola di dottorato: Scienze Matematiche ed Informatiche
Dottorato: Scienze Computazionali e Informatiche
Ciclo di dottorato: 28
Coordinatore del Corso di dottorato:
nomeemail
Gioconda, Moscariellogioconda.moscariello@unina.it
Tutor:
nomeemail
Muscato, Orazio[non definito]
Data: 29 Settembre 2016
Numero di pagine: 112
Parole chiave: silicon quantum wire, hydrodynamic model, maximum entropy principle
Settori scientifico-disciplinari del MIUR: Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > INF/01 - Informatica
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/01 - Logica matematica
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/02 - Algebra
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/03 - Geometria
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/04 - Matematiche complementari
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/05 - Analisi matematica
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/06 - Probabilità e statistica matematica
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/08 - Analisi numerica
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/09 - Ricerca operativa
Depositato il: 09 Mar 2017 13:26
Ultima modifica: 09 Mar 2017 13:26
URI: http://www.fedoa.unina.it/id/eprint/11179
DOI: 10.6092/UNINA/FEDOA/11179

Abstract

In questa tesi un modello idrodinamico per il trasporto di elettroni nei fili quantici al silicio (SiNW) è presentato. Tale modello è stato formulato considerando i momenti derivanti dall'equazione cinetica di Boltzmann e chiudendo il sistema dei momenti ottenuto per mezzo del Principio di Massima Entropia della Termodinamica Estesa. Questo modello di trasporto include necessariamente l'equazione di Schroedinger bidimensionale accoppiata all'equazione di Poisson 3D. Al fine di testare il modello, simulazioni numeriche per SiNW transistors sono eseguite. Importanti proprietà in tali dispositivi, come la mobilità elettronica, sono studiate e i risultati ottenuti sono confrontati con quelli conseguiti usando approcci diversi nella simulazione di dispositivi elettronici basati sui nanowires.

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