Castiglione, Tina (2016) Hydrodynamic modeling of electron transport in silicon quantum wires. [Tesi di dottorato]

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Item Type: Tesi di dottorato
Lingua: English
Title: Hydrodynamic modeling of electron transport in silicon quantum wires
Creators:
CreatorsEmail
Castiglione, Tinatina.castiglione@hotmail.it
Date: 29 September 2016
Number of Pages: 112
Institution: Università degli Studi di Napoli Federico II
Department: Matematica e Applicazioni "Renato Caccioppoli"
Scuola di dottorato: Scienze Matematiche ed Informatiche
Dottorato: Scienze Computazionali e Informatiche
Ciclo di dottorato: 28
Coordinatore del Corso di dottorato:
nomeemail
Gioconda, Moscariellogioconda.moscariello@unina.it
Tutor:
nomeemail
Muscato, OrazioUNSPECIFIED
Date: 29 September 2016
Number of Pages: 112
Uncontrolled Keywords: silicon quantum wire, hydrodynamic model, maximum entropy principle
Settori scientifico-disciplinari del MIUR: Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > INF/01 - Informatica
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/01 - Logica matematica
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/02 - Algebra
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/03 - Geometria
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/04 - Matematiche complementari
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/05 - Analisi matematica
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/06 - Probabilità e statistica matematica
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/08 - Analisi numerica
Area 01 - Scienze matematiche e informatiche > MAT/09 - Ricerca operativa
Date Deposited: 09 Mar 2017 13:26
Last Modified: 09 Mar 2017 13:26
URI: http://www.fedoa.unina.it/id/eprint/11179
DOI: 10.6092/UNINA/FEDOA/11179

Abstract

In questa tesi un modello idrodinamico per il trasporto di elettroni nei fili quantici al silicio (SiNW) è presentato. Tale modello è stato formulato considerando i momenti derivanti dall'equazione cinetica di Boltzmann e chiudendo il sistema dei momenti ottenuto per mezzo del Principio di Massima Entropia della Termodinamica Estesa. Questo modello di trasporto include necessariamente l'equazione di Schroedinger bidimensionale accoppiata all'equazione di Poisson 3D. Al fine di testare il modello, simulazioni numeriche per SiNW transistors sono eseguite. Importanti proprietà in tali dispositivi, come la mobilità elettronica, sono studiate e i risultati ottenuti sono confrontati con quelli conseguiti usando approcci diversi nella simulazione di dispositivi elettronici basati sui nanowires.

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