Analytical modeling and numerical simulations of the thermal behavior of bipolar transistors

Marano, Ilaria (2008) Analytical modeling and numerical simulations of the thermal behavior of bipolar transistors. [Tesi di dottorato] (Inedito)

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Abstract

The thermal behavior of various bipolar transistor categories, namely, trench-isolated (1) SOI BJTs, (2) BJTs fabricated on silicon substrates, and (3) SiGe HBTs, is thorougly analyzed. Detailed 3-D numerical simulations are employed to provide a deep understanding of the thermal process in all the structures. Based on the numerical analysis, novel highly-effective analytical thermal models are conceived and developed for a fully predictive detection of the temperature field corresponding to an assigned dissipated power. All the models make use of simplified representations of the domains under analysis as well as 3rd-kind boundary conditions to describe the heat propagation through the insulating layers.

Tipologia di documento:Tesi di dottorato
Parole chiave:Analytical modeling, bipolar transistor, numerical simulations, silicon-on-insulator, thermal resistance, trench isolation
Settori scientifico-disciplinari MIUR:Area 09 Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 ELETTRONICA
Coordinatori della Scuola di dottorato:
Coordinatore del Corso di dottoratoe-mail (se nota)
Poggi, Giovanni
Tutor della Scuola di dottorato:
Tutor del Corso di dottoratoe-mail (se nota)
Rinaldi, Niccolònirinald@unina.it
Stato del full text:Accessibile
Data:29 Novembre 2008
Numero di pagine:202
Istituzione:UniversitĂ  degli Studi di Napoli "Federico II"
Dipartimento o Struttura:Dipartimento di Ingegneria Biomedica, Elettronica e delle Telecomunicazioni
Tipo di tesi:Dottorato
Stato dell'Eprint:Inedito
Scuola di dottorato:Ingegneria dell'Informazione
Denominazione del dottorato:Ingegneria elettronica e delle telecomunicazioni
Ciclo di dottorato:XXI
Numero di sistema:3138
Depositato il:09 Novembre 2009 11:33
Ultima modifica:09 Novembre 2009 11:33

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