Marano, Ilaria (2008) Analytical modeling and numerical simulations of the thermal behavior of bipolar transistors. [Tesi di dottorato] (Inedito)

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PDF (Tesi di dottorato di Ilaria Marano, DIBET, "Federico II")
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Tipologia del documento: Tesi di dottorato
Lingua: English
Titolo: Analytical modeling and numerical simulations of the thermal behavior of bipolar transistors
Autori:
AutoreEmail
Marano, Ilariailaria.marano@unina.it
Data: 29 Novembre 2008
Numero di pagine: 202
Istituzione: Università degli Studi di Napoli Federico II
Dipartimento: Ingegneria biomedica, elettronica e delle comunicazioni
Dottorato: Ingegneria elettronica e delle telecomunicazioni
Ciclo di dottorato: 21
Coordinatore del Corso di dottorato:
nomeemail
Poggi, Giovanni[non definito]
Tutor:
nomeemail
Rinaldi, Niccolònirinald@unina.it
Data: 29 Novembre 2008
Numero di pagine: 202
Parole chiave: Analytical modeling, bipolar transistor, numerical simulations, silicon-on-insulator, thermal resistance, trench isolation
Settori scientifico-disciplinari del MIUR: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 - Elettronica
Depositato il: 09 Nov 2009 10:33
Ultima modifica: 02 Dic 2014 11:33
URI: http://www.fedoa.unina.it/id/eprint/3138
DOI: 10.6092/UNINA/FEDOA/3138

Abstract

The thermal behavior of various bipolar transistor categories, namely, trench-isolated (1) SOI BJTs, (2) BJTs fabricated on silicon substrates, and (3) SiGe HBTs, is thorougly analyzed. Detailed 3-D numerical simulations are employed to provide a deep understanding of the thermal process in all the structures. Based on the numerical analysis, novel highly-effective analytical thermal models are conceived and developed for a fully predictive detection of the temperature field corresponding to an assigned dissipated power. All the models make use of simplified representations of the domains under analysis as well as 3rd-kind boundary conditions to describe the heat propagation through the insulating layers.

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