Salvato, Raffaele (0202) Compact HICUM Modeling of Distributed Dynamic Lateral Effects in SiGe HBTs During Large-Signal Switching. [Tesi di dottorato]

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Tipologia del documento:	Tesi di dottorato
Lingua:	English
Titolo:	Compact HICUM Modeling of Distributed Dynamic Lateral Effects in SiGe HBTs During Large-Signal Switching
Autori:	Autore Email Salvato, Raffaele raffaele.salvato@unina.it
Data:	11 Marzo 0202
Numero di pagine:	104
Istituzione:	Università degli Studi di Napoli Federico II
Dipartimento:	Ingegneria Elettrica e delle Tecnologie dell'Informazione
Dottorato:	Information technology and electrical engineering
Ciclo di dottorato:	32
Coordinatore del Corso di dottorato:	nome email Riccio, Daniele daniele.riccio@unina.it
Tutor:	nome email d'Alessandro, Vincenzo [non definito]
Data:	11 Marzo 0202
Numero di pagine:	104
Parole chiave:	HICUM, Modeling, ECC Effects
Settori scientifico-disciplinari del MIUR:	Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 - Elettronica
Depositato il:	05 Apr 2020 15:00
Ultima modifica:	10 Nov 2021 09:57
URI:	http://www.fedoa.unina.it/id/eprint/13072

Abstract

In this thesis, a description of the lateral dynamic ECC occurring in fast large-signal switching with a 1-transistor (1-T) compact model employing lateral charge partitioning around the internal base resistance was made. Then a procedure for determining the lateral charge partitioning factor in turn-on switching processes is presented based on 2-D mixed-mode circuit-device simulation and a distributed 10-transistor (10-T) compact model serving as reference. The purpose of this work is to explore whether fast large-signal switching can be described sufficiently accurately and computationally efficiently with a 1-transistor model.

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